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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (bjt) - simple, pré-biaiséDTA113ZUAT106
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DTA113ZUAT106 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
DTA113ZUAT106
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-DTA113ZUAT106
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Description détaillée
Emballage
SC-70, SOT-323
Fiche technique
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
État RoHS
En stock: 571950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DTA113ZUAT106
Rohm Semiconductor - DTA113ZUAT106 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - DTA113ZUAT106

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor Type PNP - Pre-Biased  
Package composant fournisseur UMT3  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms  
Résistance - Base (R1) 1 kOhms  
Puissance - Max 200 mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte SC-70, SOT-323  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 250 MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 5mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA  
Numéro de produit de base DTA113  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor DTA113ZUAT106

Attributs du produit DTA113ZUAT106 DTA114ECA DTA113ZKAT146 DTA113ZUA
Modèle de produit DTA113ZUAT106 DTA114ECA DTA113ZKAT146 DTA113ZUA
Fabricant Rohm Semiconductor Yangjie Technology Rohm Semiconductor Yangjie Technology
Puissance - Max 200 mW 200 mW 200 mW -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fréquence - Transition 250 MHz 250 MHz 250 MHz -
Séries - - - -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V 50 V 50 V -
Transistor Type PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased + Diode PNP - Pre-Biased -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Package composant fournisseur UMT3 SOT-23 SMT3 -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms - 10 kOhms -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V 33 @ 5mA, 5V -
Numéro de produit de base DTA113 DTA114 DTA113 DTA113
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA -
Résistance - Base (R1) 1 kOhms 10 kOhms 1 kOhms -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA -
Package / Boîte SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -

Fiche technique DTA113ZUAT106 PDF

Téléchargez DTA113ZUAT106 PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour DTA113ZUAT106 - Rohm Semiconductor.

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Feuilles de données
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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