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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - Single2SK3050TL
2SK3050TL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2SK3050TL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
2SK3050TL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-2SK3050TL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
2SK3050.pdf
État RoHS
En stock: 5010

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2SK3050TL
Rohm Semiconductor - 2SK3050TL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - 2SK3050TL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur CPT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25.6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta)  
Numéro de produit de base 2SK3050  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor 2SK3050TL

Attributs du produit 2SK3050TL 2SK3054-T1-A 2SK3048 2SK3043
Modèle de produit 2SK3050TL 2SK3054-T1-A 2SK3048 2SK3043
Fabricant Rohm Semiconductor Renesas Electronics America Inc Panasonic Electronic Components Panasonic Electronic Components
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 1.5V @ 1µA 5V @ 1mA 5V @ 1mA
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SC-70, SOT-323 TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5Ohm @ 1A, 10V 20Ohm @ 10mA, 4V 2.5Ohm @ 2A, 10V 1.3Ohm @ 3A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25.6 nC @ 10 V - - -
Vgs (Max) ±30V - ±30V ±30V
Séries - - - -
Numéro de produit de base 2SK3050 - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 10 V 8000 pF @ 3 V 750 pF @ 20 V 700 pF @ 20 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta) 100mA (Ta) 3A (Tc) 5A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc) - 2W (Ta), 35W (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Package composant fournisseur CPT3 SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold TO-220D-A1 TO-220D-A1
Tension drain-source (Vdss) 600 V 50 V 600 V 450 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - 150°C (TJ) 150°C (TJ)

Fiche technique 2SK3050TL PDF

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Feuilles de données
2SK3050.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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