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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - Single2SK3019TL
2SK3019TL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2SK3019TL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
2SK3019TL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-2SK3019TL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Description détaillée
Emballage
SC-75, SOT-416
Fiche technique
2SK3019.pdf
État RoHS
En stock: 520450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2SK3019TL
Rohm Semiconductor - 2SK3019TL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - 2SK3019TL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur EMT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V  
Dissipation de puissance (max) 150mW (Ta)  
Package / Boîte SC-75, SOT-416  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13 pF @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100mA (Ta)  
Numéro de produit de base 2SK3019  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor 2SK3019TL

Attributs du produit 2SK3019TL 2SK3019A-TP 2SK302200L 2SK3019FTL
Modèle de produit 2SK3019TL 2SK3019A-TP 2SK302200L 2SK3019FTL
Fabricant Rohm Semiconductor Micro Commercial Co Panasonic Electronic Components LAPIS Technology
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V 8Ohm @ 10mA, 4.5V 130mOhm @ 3A, 10V -
Numéro de produit de base 2SK3019 2SK3019 - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13 pF @ 5 V 13 pF @ 5 V 220 pF @ 10 V -
Dissipation de puissance (max) 150mW (Ta) 150mW 1W (Ta), 10W (Tc) -
Séries - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4V 4.5V 4V, 10V -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 60 V -
Package composant fournisseur EMT3 SOT-523 U-G2 -
Fonction FET - - - -
Package / Boîte SC-75, SOT-416 SOT-523 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100mA (Ta) 100mA 5A (Tc) -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA 1.5V @ 100µA 2.5V @ 1mA -

Fiche technique 2SK3019TL PDF

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Feuilles de données
2SK3019.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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