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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - Single2SK2887TL
2SK2887TL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2SK2887TL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
2SK2887TL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-2SK2887TL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
2SK2887.pdf
État RoHS
En stock: 4720

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2SK2887TL
Rohm Semiconductor - 2SK2887TL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - 2SK2887TL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur CPT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta)  
Numéro de produit de base 2SK2887  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor 2SK2887TL

Attributs du produit 2SK2887TL 2SK2897-01 MOS 2SK2885A 2SK2895-01
Modèle de produit 2SK2887TL 2SK2897-01 MOS 2SK2885A 2SK2895-01
Fabricant Rohm Semiconductor Fujitsu Electronics America, Inc. HITACHI FUJI
type de FET N-Channel - - -
Numéro de produit de base 2SK2887 - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - - -
Package composant fournisseur CPT3 - - -
Tension drain-source (Vdss) 200 V - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - - -
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc) - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 1.5A, 10V - - -
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) - - -
Vgs (Max) ±30V - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta) - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA - - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - - -
Séries - - - -
Type de montage Surface Mount - - -

Fiche technique 2SK2887TL PDF

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Feuilles de données
2SK2887.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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