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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - Single2SD2652T106
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2SD2652T106 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
2SD2652T106
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-2SD2652T106
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS NPN 12V 1.5A UMT3
Description détaillée
Emballage
SC-70, SOT-323
Fiche technique
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
État RoHS
En stock: 225660

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2SD2652T106
Rohm Semiconductor - 2SD2652T106 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - 2SD2652T106

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 12 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 25mA, 500mA  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur UMT3  
Séries -  
Puissance - Max 200 mW  
Package / Boîte SC-70, SOT-323  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 400MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 200mA, 2V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 1.5 A  
Numéro de produit de base 2SD2652  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor 2SD2652T106

Attributs du produit 2SD2652T106 2SD2643 2SD2641 2SD2642
Modèle de produit 2SD2652T106 2SD2643 2SD2641 2SD2642
Fabricant Rohm Semiconductor Sanken Electric USA Inc. Sanken Electric USA Inc. Sanken Electric USA Inc.
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Courant - Collecteur (Ic) (max) 1.5 A 6 A 6 A 6 A
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100µA (ICBO) 100µA (ICBO) 100µA (ICBO)
Fréquence - Transition 400MHz 60MHz 60MHz 60MHz
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 12 V 110 V 110 V 110 V
Transistor Type NPN NPN - Darlington NPN - Darlington NPN - Darlington
Puissance - Max 200 mW 60 W 60 W 30 W
Package composant fournisseur UMT3 TO-3PF TO-3P TO-220F
Package / Boîte SC-70, SOT-323 TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3, SC-65-3 TO-220-3 Full Pack
Séries - - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 200mA, 2V 5000 @ 5A, 4V 5000 @ 5A, 4V 5000 @ 5A, 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 25mA, 500mA 2.5V @ 5mA, 5A 2.5V @ 5mA, 5A 2.5V @ 5mA, 5A
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base 2SD2652 - - -

Fiche technique 2SD2652T106 PDF

Téléchargez 2SD2652T106 PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour 2SD2652T106 - Rohm Semiconductor.

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Feuilles de données
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