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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - Single2SB1316TL
2SB1316TL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2SB1316TL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
2SB1316TL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-2SB1316TL
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PNP DARL 100V 2A CPT3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
2SB1316TL.pdf
État RoHS
En stock: 78050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2SB1316TL
Rohm Semiconductor - 2SB1316TL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - 2SB1316TL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 100 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1mA, 1A  
Transistor Type PNP - Darlington  
Package composant fournisseur CPT3  
Séries -  
Puissance - Max 10 W  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 50MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 1A, 2V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 10µA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 2 A  
Numéro de produit de base 2SB1316  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor 2SB1316TL

Attributs du produit 2SB1316TL 2SB1323-TD-E 2SB1308T100P 2SB1308T100R
Modèle de produit 2SB1316TL 2SB1323-TD-E 2SB1308T100P 2SB1308T100R
Fabricant Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Courant - Collecteur (Ic) (max) 2 A - 3 A 3 A
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 1A, 2V - 82 @ 500mA, 2V 180 @ 500mA, 2V
Fréquence - Transition 50MHz - 120MHz 120MHz
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 10µA (ICBO) - 500nA (ICBO) 500nA (ICBO)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - TO-243AA TO-243AA
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1mA, 1A - 450mV @ 150mA, 1.5A 450mV @ 150mA, 1.5A
Transistor Type PNP - Darlington - PNP PNP
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 100 V - 20 V 20 V
Puissance - Max 10 W - 2 W 2 W
Séries - * - -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base 2SB1316 - 2SB1308 2SB1308
Package composant fournisseur CPT3 - MPT3 MPT3

Fiche technique 2SB1316TL PDF

Téléchargez 2SB1316TL PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour 2SB1316TL - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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