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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxVMM1000-01P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VMM1000-01P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
VMM1000-01P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-VMM1000-01P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI
Description détaillée
Emballage
Y3-Li
Fiche technique
VMM1000-01P.pdf
En stock: 5080

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VMM1000-01P
IXYS - VMM1000-01P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - VMM1000-01P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 10mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Y3-Li  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 800A, 10V  
Puissance - Max -  
Package / Boîte Y3-Li  
Emballer Box  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2355nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 100V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1000A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base VMM  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS VMM1000-01P

Attributs du produit VMM1000-01P VMM1500-0075P VMM300-03F VMM15-05
Modèle de produit VMM1000-01P VMM1500-0075P VMM300-03F VMM15-05
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS / Littelfuse
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - - 40000pF @ 25V -
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Numéro de produit de base VMM VMM VMM300 -
Emballer Box Box Box -
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -
Package / Boîte Y3-Li Y3-Li Y3-DCB -
Package composant fournisseur Y3-Li Y3-Li Y3-DCB -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 10mA 4V @ 10mA 4V @ 30mA -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1000A 1500A 290A -
Séries - - HiPerFET™ -
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2355nC @ 10V 2480nC @ 10V 1440nC @ 10V -
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Puissance - Max - - 1500W -
Tension drain-source (Vdss) 100V 75V 300V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 800A, 10V 0.8mOhm @ 1200A, 10V 8.6mOhm @ 145A, 10V -

Fiche technique VMM1000-01P PDF

Téléchargez VMM1000-01P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour VMM1000-01P - IXYS.

Feuilles de données
VMM1000-01P.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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