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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - ModulesMWI50-12A7
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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MWI50-12A7 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
MWI50-12A7
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-MWI50-12A7
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2
Emballage
E2
Fiche technique
MWI50-12A7(T).pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 5040

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques MWI50-12A7
IXYS - MWI50-12A7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - MWI50-12A7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A  
Package composant fournisseur E2  
Séries -  
Puissance - Max 350 W  
Package / Boîte E2  
Emballer Box  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
NTC thermistance No  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.3 nF @ 25 V  
Contribution Standard  
type de IGBT NPT  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 4 mA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 85 A  
Configuration Three Phase Inverter  
Numéro de produit de base MWI50  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS MWI50-12A7

Attributs du produit MWI50-12A7 MWI60-12T6K MWI50-06A7 MWI50-12T7T
Modèle de produit MWI50-12A7 MWI60-12T6K MWI50-06A7 MWI50-12T7T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration Three Phase Inverter Three Phase Inverter Three Phase Inverter Three Phase Inverter
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.3 nF @ 25 V 2.53 nF @ 25 V 2.8 nF @ 25 V 3.5 nF @ 25 V
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Puissance - Max 350 W 200 W 225 W 270 W
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V 1200 V 600 V 1200 V
Séries - - - -
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A 2.3V @ 15V, 35A 2.4V @ 15V, 50A 2.15V @ 15V, 50A
NTC thermistance No Yes No Yes
Emballer Box Box Box Box
Contribution Standard Standard Standard Standard
Package composant fournisseur E2 E1 E2 E2
type de IGBT NPT Trench NPT Trench
Numéro de produit de base MWI50 MWI60 MWI50 MWI50
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 4 mA 500 µA 600 µA 4 mA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 85 A 58 A 72 A 80 A
Package / Boîte E2 E1 E2 E2

Fiche technique MWI50-12A7 PDF

Téléchargez MWI50-12A7 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour MWI50-12A7 - IXYS.

Feuilles de données
MWI50-12A7(T).pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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