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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXUC100N055
IXUC100N055 Image
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IXUC100N055 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXUC100N055
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXUC100N055
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 100A ISOPLUS220
Emballage
ISOPLUS220™
Fiche technique
IXUC100N055.pdf
Notre certification
En stock: 4940

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IXUC100N055
IXYS - IXUC100N055 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXUC100N055

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOPLUS220™  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.7mOhm @ 80A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte ISOPLUS220™  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base IXUC100  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXUC100N055

Attributs du produit IXUC100N055 STS12NH3LL NTK3139PT1H AO4576
Modèle de produit IXUC100N055 STS12NH3LL NTK3139PT1H AO4576
Fabricant IXYS STMicroelectronics onsemi Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 12A (Tc) - 20A (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.7mOhm @ 80A, 10V 10.5mOhm @ 6A, 10V - 5.8mOhm @ 20A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 1V @ 250µA - 2.2V @ 250µA
Numéro de produit de base IXUC100 STS12 - AO45
Tension drain-source (Vdss) 55 V 30 V - 30 V
Package composant fournisseur ISOPLUS220™ 8-SOIC - 8-SOIC
Séries - STripFET™ * -
Vgs (Max) ±20V ±16V - ±20V
type de FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Package / Boîte ISOPLUS220™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V - 22.5 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 2.7W (Tc) - 3.1W (Ta)
Type de montage Through Hole Surface Mount - Surface Mount

Fiche technique IXUC100N055 PDF

Téléchargez IXUC100N055 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXUC100N055 - IXYS.

Feuilles de données
IXUC100N055.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 13/Dec/2013.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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