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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTQ50N20P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTQ50N20P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTQ50N20P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTQ50N20P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 50A TO3P
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
IXT(A,P,Q)50N20P.pdf
État RoHS
En stock: 14200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTQ50N20P
IXYS - IXTQ50N20P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTQ50N20P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2720 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTQ50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTQ50N20P

Attributs du produit IXTQ50N20P IXTQ60N10T IXTQ460P2 IXTQ480P2
Modèle de produit IXTQ50N20P IXTQ60N10T IXTQ460P2 IXTQ480P2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Séries Polar Trench PolarP2™ PolarP2™
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 108 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Numéro de produit de base IXTQ50 IXTQ60 IXTQ460 IXTQ480
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 60A (Tc) 24A (Tc) 52A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 200 V 100 V 500 V 500 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2720 pF @ 25 V 2650 pF @ 25 V 2890 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 50A, 10V 18mOhm @ 25A, 10V 270mOhm @ 12A, 10V 120mOhm @ 26A, 10V
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc) 176W (Tc) 480W (Tc) 960W (Tc)
Fonction FET - - - -

Fiche technique IXTQ50N20P PDF

Téléchargez IXTQ50N20P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTQ50N20P - IXYS.

Conception / spécification PCN
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Feuilles de données
IXT(A,P,Q)50N20P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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