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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTH50P085
IXTH50P085 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTH50P085 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTH50P085
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTH50P085
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 85V 50A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXTH50P085.pdf
En stock: 5290

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTH50P085
IXYS - IXTH50P085 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTH50P085

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 85 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTH50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTH50P085

Attributs du produit IXTH50P085 IXTH50P10 IXTH50N20 IXTH52N65X
Modèle de produit IXTH50P085 IXTH50P10 IXTH50N20 IXTH52N65X
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 660W (Tc)
Numéro de produit de base IXTH50 IXTH50 IXTH50 IXTH52
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Séries - - MegaMOS™ Ultra X
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 25A, 10V 55mOhm @ 25A, 10V 45mOhm @ 25A, 10V 68mOhm @ 26A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 113 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V 4350 pF @ 25 V 4600 pF @ 25 V 4350 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tension drain-source (Vdss) 85 V 100 V 200 V 650 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 52A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique IXTH50P085 PDF

Téléchargez IXTH50P085 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTH50P085 - IXYS.

Feuilles de données
IXTH50P085.pdf
PCN Obsolescence / EOL
IXT*50P085 28/Feb/2018.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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