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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleIXGN200N170
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXGN200N170 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXGN200N170
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXGN200N170
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXGN200N170.pdf
État RoHS
En stock: 765

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXGN200N170
IXYS - IXGN200N170 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXGN200N170

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1700 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 100A  
Condition de test 850V, 100A, 1Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 37ns/320ns  
énergie de commutation 28mJ (on), 30mJ (off)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 133 ns  
Puissance - Max 1250 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 540 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 1050 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 280 A  
Numéro de produit de base IXGN200  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXGN200N170

Attributs du produit IXGN200N170 IXGN200N60B3 IXGN120N60A3 IXGN200N60A2
Modèle de produit IXGN200N170 IXGN200N60B3 IXGN120N60A3 IXGN200N60A2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
gate charge 540 nC - - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 280 A 300 A 200 A 200 A
Puissance - Max 1250 W 830 W 595 W 700 W
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1700 V 600 V 600 V 600 V
Type d'entrée Standard - - -
Temps de recouvrement inverse (trr) 133 ns - - -
énergie de commutation 28mJ (on), 30mJ (off) - - -
Numéro de produit de base IXGN200 IXGN200 IXGN120 IXGN200
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 100A 1.5V @ 15V, 100A 1.35V @ 15V, 100A 1.35V @ 15V, 100A
Emballer Tube Tube Tube Tube
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 37ns/320ns - - -
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
type de IGBT - PT PT PT
Condition de test 850V, 100A, 1Ohm, 15V - - -
Séries - GenX3™ GenX3™ -
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 1050 A - - -

Fiche technique IXGN200N170 PDF

Téléchargez IXGN200N170 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXGN200N170 - IXYS.

Feuilles de données
IXGN200N170.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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