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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFN50N120SIC
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFN50N120SIC - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFN50N120SIC
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFN50N120SIC
Modèle ECAD
Description des pièces
SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFN50N120SIC.pdf
État RoHS
En stock: 577

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFN50N120SIC
IXYS - IXFN50N120SIC Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFN50N120SIC

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA  
Vgs (Max) +20V, -5V  
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 40A, 20V  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 1000 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 47A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFN50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFN50N120SIC

Attributs du produit IXFN50N120SIC IXFN50N80Q2 IXFN48N50 IXFN50N120SK
Modèle de produit IXFN50N120SIC IXFN50N80Q2 IXFN48N50 IXFN50N120SK
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Dissipation de puissance (max) - 1135W (Tc) 520W (Tc) -
Vgs (Max) +20V, -5V ±30V ±20V +20V, -5V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 1000 V 13500 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V 1895 pF @ 1000 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 20 V 260 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 115 nC @ 20 V
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 47A (Tc) 50A (Tc) 48A (Tc) 48A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA 5.5V @ 8mA 4V @ 8mA 2.8V @ 10mA
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 40A, 20V 160mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 500mA, 10V 52mOhm @ 40A, 20V
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
La technologie SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide)
Numéro de produit de base IXFN50 IXFN50 IXFN48 IXFN50
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 800 V 500 V 1200 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V 10V 10V 20V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries - HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ -

Fiche technique IXFN50N120SIC PDF

Téléchargez IXFN50N120SIC PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFN50N120SIC - IXYS.

Feuilles de données
IXFN50N120SIC.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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