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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFN32N120P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFN32N120P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFN32N120P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFN32N120P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFN32N120P.pdf
État RoHS
En stock: 788

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFN32N120P
IXYS - IXFN32N120P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFN32N120P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1000W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 21000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFN32  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFN32N120P

Attributs du produit IXFN32N120P IXFN34N100 IXFN360N10T IXFN32N100P
Modèle de produit IXFN32N120P IXFN34N100 IXFN360N10T IXFN32N100P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc) 34A (Tc) 360A (Tc) 27A (Tc)
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA 5.5V @ 8mA 4.5V @ 250µA 6.5V @ 1mA
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Numéro de produit de base IXFN32 IXFN34 IXFN360 IXFN32
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 505 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 1000W (Tc) 700W (Tc) 830W (Tc) 690W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 21000 pF @ 25 V 9200 pF @ 25 V 36000 pF @ 25 V 14200 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 1000 V 100 V 1000 V
Séries HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Polar
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310mOhm @ 500mA, 10V 280mOhm @ 500mA, 10V 2.6mOhm @ 180A, 10V 320mOhm @ 16A, 10V

Fiche technique IXFN32N120P PDF

Téléchargez IXFN32N120P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFN32N120P - IXYS.

Feuilles de données
IXFN32N120P.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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