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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFN200N10P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFN200N10P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFN200N10P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFN200N10P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFN200N10P.pdf
État RoHS
En stock: 1485

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFN200N10P
IXYS - IXFN200N10P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFN200N10P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 680W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Box  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFN200  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFN200N10P

Attributs du produit IXFN200N10P IXFN180N07 IXFN180N15P IXFN200N07
Modèle de produit IXFN200N10P IXFN180N07 IXFN180N15P IXFN200N07
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 4V @ 8mA 5V @ 4mA 4V @ 8mA
Emballer Box Tube Box Tube
Numéro de produit de base IXFN200 IXFN180 IXFN180 IXFN200
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200A (Tc) 180A (Tc) 150A (Tc) 200A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V 480 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 480 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 70 V 150 V 70 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 680W (Tc) 520W (Tc) 680W (Tc) 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 500mA, 10V 7mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 90A, 10V 6mOhm @ 500mA, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™

Fiche technique IXFN200N10P PDF

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Feuilles de données
IXFN200N10P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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