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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFH230N10T
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFH230N10T - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFH230N10T
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFH230N10T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 230A TO247AD
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXFH230N10T.pdf
État RoHS
En stock: 7023

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFH230N10T
IXYS - IXFH230N10T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFH230N10T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH)  
Séries HiPerFET™, Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 650W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 230A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFH230  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFH230N10T

Attributs du produit IXFH230N10T IXFH20N80Q IXFH21N50F IXFH23N60Q
Modèle de produit IXFH230N10T IXFH20N80Q IXFH21N50F IXFH23N60Q
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 230A (Tc) 20A (Tc) 21A (Tc) 23A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 650W (Tc) 360W (Tc) 300W (Tc) 400W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IXFH230 IXFH20 IXFH21 IXFH23
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 4.5V @ 4mA 5.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA
Fonction FET - - - -
Séries HiPerFET™, Trench HiPerFET™ HiPerRF™ HiPerFET™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15300 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 500mA, 10V 420mOhm @ 10A, 10V 250mOhm @ 10.5A, 10V 320mOhm @ 500mA, 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247 (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 800 V 500 V 600 V

Fiche technique IXFH230N10T PDF

Téléchargez IXFH230N10T PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFH230N10T - IXYS.

Feuilles de données
IXFH230N10T.pdf

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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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