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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFH18N60P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFH18N60P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFH18N60P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFH18N60P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXFH18N60P, IXFV18N60P/PS.pdf
État RoHS
En stock: 10925

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFH18N60P
IXYS - IXFH18N60P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFH18N60P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH)  
Séries HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFH18  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFH18N60P

Attributs du produit IXFH18N60P IXFH21N50 IXFH20N50P3 IXFH20N85X
Modèle de produit IXFH18N60P IXFH21N50 IXFH20N50P3 IXFH20N85X
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Séries HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™, Ultra X
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247 (IXTH)
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA 4V @ 4mA 5V @ 1.5mA 5.5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 500mA, 10V 250mOhm @ 10.5A, 10V 300mOhm @ 10A, 10V 330mOhm @ 500mA, 10V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc) 21A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc)
Numéro de produit de base IXFH18 IXFH21 IXFH20 IXFH20
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc) 300W (Tc) 380W (Tc) 540W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 500 V 500 V 850 V

Fiche technique IXFH18N60P PDF

Téléchargez IXFH18N60P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFH18N60P - IXYS.

Feuilles de données
IXFH18N60P, IXFV18N60P/PS.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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