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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - ModulesIXEN60N120
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXEN60N120 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXEN60N120
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXEN60N120
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT MOD 1200V 100A 445W SOT227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXEN60N120(D1).pdf
En stock: 4170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXEN60N120
IXYS - IXEN60N120 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXEN60N120

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 60A  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries -  
Puissance - Max 445 W  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
NTC thermistance No  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.8 nF @ 25 V  
Contribution Standard  
type de IGBT NPT  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 800 µA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 A  
Configuration Single  
Numéro de produit de base IXEN60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXEN60N120

Attributs du produit IXEN60N120 IXEN60N120D1 IXER60N120 IXE5216EC CO
Modèle de produit IXEN60N120 IXEN60N120D1 IXER60N120 IXE5216EC CO
Fabricant IXYS IXYS IXYS Intel
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 -
Emballer Tube Tube Tube -
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 60A 2.7V @ 15V, 60A 2.7V @ 15V, 60A -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 A 100 A 95 A -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 800 µA 800 µA - -
NTC thermistance No No - -
Séries - - - -
Numéro de produit de base IXEN60 IXEN60 IXER60 -
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Through Hole -
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.8 nF @ 25 V 3.8 nF @ 25 V - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V 1200 V 1200 V -
type de IGBT NPT NPT NPT -
Configuration Single Single - -
Contribution Standard Standard - -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Puissance - Max 445 W 445 W 375 W -
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B ISOPLUS247™ -

Fiche technique IXEN60N120 PDF

Téléchargez IXEN60N120 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXEN60N120 - IXYS.

Feuilles de données
IXEN60N120(D1).pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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