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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - ModulesIXDN75N120
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXDN75N120 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXDN75N120
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXDN75N120
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXDN75N120.pdf
État RoHS
En stock: 1453

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXDN75N120
IXYS - IXDN75N120 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXDN75N120

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 75A  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries -  
Puissance - Max 660 W  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
NTC thermistance No  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 5.5 nF @ 25 V  
Contribution Standard  
type de IGBT NPT  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 4 mA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 150 A  
Configuration Single  
Numéro de produit de base IXDN75  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXDN75N120

Attributs du produit IXDN75N120 IXDR30N120D1 IXDN609SIA IXDN609SI
Modèle de produit IXDN75N120 IXDR30N120D1 IXDN609SIA IXDN609SI
Fabricant IXYS IXYS IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division
NTC thermistance No - - -
Puissance - Max 660 W 200 W - -
type de IGBT NPT NPT - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 150 A 50 A - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration Single - - -
Type de montage Chassis Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V 1200 V - -
Numéro de produit de base IXDN75 IXDR30 IXDN609 IXDN609
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 5.5 nF @ 25 V - - -
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 75A 2.9V @ 15V, 30A - -
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Contribution Standard - - -
Package composant fournisseur SOT-227B ISOPLUS247™ 8-SOIC 8-SOIC-EP
Séries - - - -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 4 mA - - -

Fiche technique IXDN75N120 PDF

Téléchargez IXDN75N120 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXDN75N120 - IXYS.

Conception / spécification PCN
SOT-227B Marking 12/Nov/2021.pdf
Feuilles de données
IXDN75N120.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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