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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)PMIC - Gate pilotesIXDD614CI
IXDD614CI Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXDD614CI - IXYS Integrated Circuits Division

Fabricant Modèle de produit
IXDD614CI
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXDD614CI
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
Description détaillée
Emballage
TO-220-5
Fiche technique
Cylindrical Battery Holders.pdf
État RoHS
En stock: 9383

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXDD614CI
IXYS Integrated Circuits Division - IXDD614CI Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS Integrated Circuits Division - IXDD614CI

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Tension - Alimentation 4.5V ~ 35V  
Package composant fournisseur TO-220-5  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 25ns, 18ns  
Package / Boîte TO-220-5  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 1  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Through Hole  
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Type d'entrée Non-Inverting  
Type de porte IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET  
Configuration pilotée Low-Side  
Current - Peak Output (Source, Évier) 14A, 14A  
courant de charge Single  
Numéro de produit de base IXDD614  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS Integrated Circuits Division IXDD614CI

Attributs du produit IXDD614CI IXDD609SIA IXDD609SI IXDF404SIA
Modèle de produit IXDD614CI IXDD609SIA IXDD609SI IXDF404SIA
Fabricant IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division IXYS
Séries - - - -
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Évier) 14A, 14A 9A, 9A 9A, 9A 4A, 4A
Type de porte IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Configuration pilotée Low-Side Low-Side Low-Side Low-Side
Tension - Alimentation 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
Emballer Tube Tube Tube Tube
courant de charge Single Single Single Independent
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base IXDD614 IXDD609 IXDD609 IXDF404
Package / Boîte TO-220-5 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package composant fournisseur TO-220-5 8-SOIC 8-SOIC-EP 8-SOIC
Nombre de conducteurs 1 1 1 2
Type d'entrée Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rise / Fall Time (Typ) 25ns, 18ns 22ns, 15ns 22ns, 15ns 16ns, 13ns

Fiche technique IXDD614CI PDF

Téléchargez IXDD614CI PDF DataSheets et Documentation IXYS Integrated Circuits Division pour IXDD614CI - IXYS Integrated Circuits Division.

Feuilles de données
Cylindrical Battery Holders.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-IXDD614CI

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