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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxDCG85X1200NA
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DCG85X1200NA - IXYS

Fabricant Modèle de produit
DCG85X1200NA
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-DCG85X1200NA
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
DCG85X1200NA.pdf
État RoHS
En stock: 249

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DCG85X1200NA
IXYS - DCG85X1200NA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - DCG85X1200NA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.8 V @ 40 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 1200 V  
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Package composant fournisseur SOT-227B  
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 175°C  
Type de montage Chassis Mount  
Configuration diode 2 Independent  
Courant - fuite, inverse à Vr 400 µA @ 1200 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 43A  
Numéro de produit de base DCG85  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS DCG85X1200NA

Attributs du produit DCG85X1200NA V50100P-E3/45 DA6X101K0R DCG100X1200NA
Modèle de produit DCG85X1200NA V50100P-E3/45 DA6X101K0R DCG100X1200NA
Fabricant IXYS Vishay General Semiconductor - Diodes Division Panasonic Electronic Components IXYS
Courant - fuite, inverse à Vr 400 µA @ 1200 V 1 mA @ 100 V 100 nA @ 80 V 500 µA @ 1200 V
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.8 V @ 40 A 780 mV @ 25 A 1.2 V @ 100 mA 1.8 V @ 50 A
Package composant fournisseur SOT-227B TO-247AD (TO-3P) Mini6-G4-B SOT-227B
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 43A 25A 100mA (DC) 49A
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 175°C -40°C ~ 150°C 150°C (Max) -40°C ~ 175°C
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns - 3 ns 0 ns
Configuration diode 2 Independent 1 Pair Common Cathode 3 Independent 2 Independent
Type de montage Chassis Mount Through Hole Surface Mount Chassis Mount
Séries - TMBS® - -
Numéro de produit de base DCG85 V50100 DA6X101 DCG100
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC TO-3P-3, SC-65-3 SOT-23-6 SOT-227-4, miniBLOC
Tension - inverse (Vr) (max) 1200 V 100 V 80 V 1200 V
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky Schottky Standard SiC (Silicon Carbide) Schottky

Fiche technique DCG85X1200NA PDF

Téléchargez DCG85X1200NA PDF DataSheets et Documentation IXYS pour DCG85X1200NA - IXYS.

Feuilles de données
DCG85X1200NA.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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