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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFU420
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IRFU420 - Harris Corporation

Fabricant Modèle de produit
IRFU420
Fabricant
Harris Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IRFU420
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRFU420.pdf
Notre certification
En stock: 4130

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRFU420
Harris Corporation - IRFU420 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Harris Corporation - IRFU420

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Harris Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251AA  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.4A (Tc)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS RoHS non conforme
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Harris Corporation IRFU420

Attributs du produit IRFU420 IRFU4105PBF IRFU4105 IRFU420APBF
Modèle de produit IRFU420 IRFU4105PBF IRFU4105 IRFU420APBF
Fabricant Harris Corporation Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Emballer Bulk Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 340 pF @ 25 V
Séries - HEXFET® HEXFET® -
Package composant fournisseur TO-251AA IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) TO-251AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.4A (Tc) 27A (Tc) 27A (Tc) 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.4A, 10V 45mOhm @ 16A, 10V 45mOhm @ 16A, 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 68W (Tc) 68W (Tc) 83W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 55 V 55 V 500 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA

Mode de transport

Délai de livraison

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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Contactez nous si vous avez des questions.

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