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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleG15N10C
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

G15N10C - Goford Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
G15N10C
Fabricant
Goford Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-G15N10C
Modèle ECAD
Description des pièces
N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
G15N10C.pdf
État RoHS
En stock: 265340

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques G15N10C
Goford Semiconductor - G15N10C Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Goford Semiconductor - G15N10C

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Goford Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Goford Semiconductor G15N10C

Attributs du produit G15N10C G1588RG1U G1582T11U G1584FA1U
Modèle de produit G15N10C G1588RG1U G1582T11U G1584FA1U
Fabricant Goford Semiconductor GMT GMT GMT
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 8A, 10V - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - - -
Tension drain-source (Vdss) 100 V - - -
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc) - - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - - -
type de FET N-Channel - - -
Type de montage Surface Mount - - -
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Séries - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc) - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Package composant fournisseur TO-252 - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V - - -
Emballer Tape & Reel (TR) - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA - - -
Vgs (Max) ±20V - - -

Fiche technique G15N10C PDF

Téléchargez G15N10C PDF DataSheets et Documentation Goford Semiconductor pour G15N10C - Goford Semiconductor.

Feuilles de données
G15N10C.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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