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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxMURT20060
GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MURT20060 - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MURT20060
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MURT20060
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Description détaillée
Emballage
Three Tower
Fiche technique
MURT20040 thru MURT20060R.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 367

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MURT20060
GeneSiC Semiconductor - MURT20060 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - MURT20060

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 100 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 600 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur Three Tower  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 160 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte Three Tower  
Emballer Bulk  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Chassis Mount  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 25 µA @ 50 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 100A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor MURT20060

Attributs du produit MURT20060 MURT30060 MURT30040 MURT20040
Modèle de produit MURT20060 MURT30060 MURT30040 MURT20040
Fabricant GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Tension - inverse (Vr) (max) 600 V 600 V 400 V 400 V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 100 A 1.7 V @ 150 A 1.35 V @ 150 A 1.35 V @ 100 A
Courant - fuite, inverse à Vr 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
La technologie Standard Standard Standard Standard
Package composant fournisseur Three Tower Three Tower Three Tower Three Tower
Package / Boîte Three Tower Three Tower Three Tower Three Tower
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 100A 150A 150A 100A
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Séries - - - -
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Temps de recouvrement inverse (trr) 160 ns 200 ns 150 ns 90 ns

Fiche technique MURT20060 PDF

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Feuilles de données
MURT20040 thru MURT20060R.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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