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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxMUR40010CT
GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MUR40010CT - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MUR40010CT
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MUR40010CT
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
Description détaillée
Emballage
Twin Tower
Fiche technique
MUR40005CT thru MUR40020CTR.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 259

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MUR40010CT
GeneSiC Semiconductor - MUR40010CT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - MUR40010CT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3 V @ 125 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur Twin Tower  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 90 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte Twin Tower  
Emballer Bulk  
Type de montage Chassis Mount  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 25 µA @ 50 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 200A  
Numéro de produit de base MUR40010  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor MUR40010CT

Attributs du produit MUR40010CT MUR40020CT MUR40005CT MUR40040CT
Modèle de produit MUR40010CT MUR40020CT MUR40005CT MUR40040CT
Fabricant GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Package composant fournisseur Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Temps de recouvrement inverse (trr) 90 ns 90 ns 90 ns 150 ns
Courant - fuite, inverse à Vr 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 200A 200A 200A 200A
Package / Boîte Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Numéro de produit de base MUR40010 MUR40020 - MUR40040
Séries - - - -
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
La technologie Standard Standard Standard Standard
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V 200 V 50 V 400 V
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3 V @ 125 A 1.3 V @ 125 A 1.3 V @ 125 A 1.3 V @ 125 A

Fiche technique MUR40010CT PDF

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Feuilles de données
MUR40005CT thru MUR40020CTR.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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