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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxMUR10010CT
GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MUR10010CT - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MUR10010CT
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MUR10010CT
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE MODULE 100V 50A 2TOWER
Description détaillée
Emballage
Twin Tower
Fiche technique
MUR10005CT thru 10020CTR.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 580

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MUR10010CT
GeneSiC Semiconductor - MUR10010CT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - MUR10010CT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3 V @ 50 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur Twin Tower  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 75 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte Twin Tower  
Emballer Bulk  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Chassis Mount  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 25 µA @ 50 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 50A  
Numéro de produit de base MUR10010  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor MUR10010CT

Attributs du produit MUR10010CT MUR1020CT MUR10005CT MUR10020CT
Modèle de produit MUR10010CT MUR1020CT MUR10005CT MUR10020CT
Fabricant GeneSiC Semiconductor Vishay General Semiconductor - Diodes Division GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Emballer Bulk Tube Bulk Bulk
La technologie Standard Standard Standard Standard
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Type de montage Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Séries - FRED Pt® - -
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3 V @ 50 A 990 mV @ 5 A 1.3 V @ 50 A 1.3 V @ 50 A
Temps de recouvrement inverse (trr) 75 ns 35 ns 75 ns 75 ns
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 50A 5A 50A 50A
Courant - fuite, inverse à Vr 25 µA @ 50 V 10 µA @ 200 V 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V
Package / Boîte Twin Tower TO-220-3 Twin Tower Twin Tower
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V 200 V 50 V 200 V
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Package composant fournisseur Twin Tower TO-220-3 Twin Tower Twin Tower
Numéro de produit de base MUR10010 MUR1020 - MUR10020

Fiche technique MUR10010CT PDF

Téléchargez MUR10010CT PDF DataSheets et Documentation GeneSiC Semiconductor pour MUR10010CT - GeneSiC Semiconductor.

Feuilles de données
MUR10005CT thru 10020CTR.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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