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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxMBR30045CT
GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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MBR30045CT - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MBR30045CT
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MBR30045CT
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE MODULE 45V 150A 2TOWER
Emballage
Twin Tower
Fiche technique
MBR30045CT thru MBR300100CTR.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
Notre certification
En stock: 348

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques MBR30045CT
GeneSiC Semiconductor - MBR30045CT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - MBR30045CT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 650 mV @ 150 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 45 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur Twin Tower  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Package / Boîte Twin Tower  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Chassis Mount  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 8 mA @ 20 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 150A  
Numéro de produit de base MBR30045  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor MBR30045CT

Attributs du produit MBR30045CT MBR30035CT MBR30040CT MBR30045CTL
Modèle de produit MBR30045CT MBR30035CT MBR30040CT MBR30045CTL
Fabricant GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Package composant fournisseur Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Séries - - - -
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Numéro de produit de base MBR30045 MBR30035 MBR30040 -
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tension - inverse (Vr) (max) 45 V 35 V 40 V 45 V
Package / Boîte Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 150A 150A 150A 150A
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Courant - fuite, inverse à Vr 8 mA @ 20 V 8 mA @ 20 V 8 mA @ 20 V 5 mA @ 45 V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 650 mV @ 150 A 650 mV @ 150 A 650 mV @ 150 A 600 mV @ 150 A

Fiche technique MBR30045CT PDF

Téléchargez MBR30045CT PDF DataSheets et Documentation GeneSiC Semiconductor pour MBR30045CT - GeneSiC Semiconductor.

Feuilles de données
MBR30045CT thru MBR300100CTR.pdf

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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