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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxMBR20040CT
GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MBR20040CT - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MBR20040CT
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MBR20040CT
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER
Description détaillée
Emballage
Twin Tower
Fiche technique
MBR20020CT thru MBR20040CTR.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 485

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MBR20040CT
GeneSiC Semiconductor - MBR20040CT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - MBR20040CT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 650 mV @ 100 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 40 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur Twin Tower  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte Twin Tower  
Emballer Bulk  
Type de montage Chassis Mount  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 5 mA @ 20 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 200A (DC)  
Numéro de produit de base MBR20040  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor MBR20040CT

Attributs du produit MBR20040CT MBR20060CT MBR20035CT MBR20030CT
Modèle de produit MBR20040CT MBR20060CT MBR20035CT MBR20030CT
Fabricant GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 200A (DC) 200A (DC) 200A (DC) 200A (DC)
Courant - fuite, inverse à Vr 5 mA @ 20 V 5 mA @ 20 V 5 mA @ 20 V 5 mA @ 20 V
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Package composant fournisseur Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Séries - - - -
Tension - inverse (Vr) (max) 40 V 60 V 35 V 30 V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 650 mV @ 100 A 750 mV @ 100 A 650 mV @ 100 A 650 mV @ 100 A
Numéro de produit de base MBR20040 MBR20060 MBR20035 MBR20030
Package / Boîte Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode

Fiche technique MBR20040CT PDF

Téléchargez MBR20040CT PDF DataSheets et Documentation GeneSiC Semiconductor pour MBR20040CT - GeneSiC Semiconductor.

Feuilles de données
MBR20020CT thru MBR20040CTR.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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