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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxMBR200100CTS
GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MBR200100CTS - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MBR200100CTS
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MBR200100CTS
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE MODULE 100V 200A SOT227
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4
Fiche technique
MBR200100CTS.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 3720

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MBR200100CTS
GeneSiC Semiconductor - MBR200100CTS Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - MBR200100CTS

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 950 mV @ 100 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur SOT-227  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte SOT-227-4  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 175°C  
Type de montage Screw Mount  
Configuration diode 2 Independent  
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 80 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 200A (DC)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor MBR200100CTS

Attributs du produit MBR200100CTS MBR200100CT MBR200200CT MBR20030CT
Modèle de produit MBR200100CTS MBR200100CT MBR200200CT MBR20030CT
Fabricant GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 175°C - -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Séries - - - -
Type de montage Screw Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Configuration diode 2 Independent 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V 100 V 200 V 30 V
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 80 V 5 mA @ 20 V 3 mA @ 200 V 5 mA @ 20 V
Emballer Tube Bulk Bulk Bulk
Package / Boîte SOT-227-4 Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 950 mV @ 100 A 840 mV @ 100 A 920 mV @ 100 A 650 mV @ 100 A
Package composant fournisseur SOT-227 Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 200A (DC) 200A (DC) 100A 200A (DC)

Fiche technique MBR200100CTS PDF

Téléchargez MBR200100CTS PDF DataSheets et Documentation GeneSiC Semiconductor pour MBR200100CTS - GeneSiC Semiconductor.

PCN Obsolescence / EOL
DK OBS NOTICE.pdf
Feuilles de données
MBR200100CTS.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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