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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxMBR12080CT
GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MBR12080CT - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MBR12080CT
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MBR12080CT
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE MODULE 80V 120A 2TOWER
Description détaillée
Emballage
Twin Tower
Fiche technique
MBR12045CT thru MBR120100CTR.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 492

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MBR12080CT
GeneSiC Semiconductor - MBR12080CT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - MBR12080CT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 840 mV @ 60 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 80 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur Twin Tower  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte Twin Tower  
Emballer Bulk  
Type de montage Chassis Mount  
Configuration diode 1 Pair Common Anode  
Courant - fuite, inverse à Vr 3 mA @ 20 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 120A (DC)  
Numéro de produit de base MBR12080  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor MBR12080CT

Attributs du produit MBR12080CT MBR12060CT MBR12040CT MBR12045CT
Modèle de produit MBR12080CT MBR12060CT MBR12040CT MBR12045CT
Fabricant GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Numéro de produit de base MBR12080 MBR12060 MBR12040 MBR12045
Package composant fournisseur Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Package / Boîte Twin Tower Twin Tower Twin Tower Twin Tower
Séries - - - -
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 120A (DC) 120A (DC) 120A (DC) 120A (DC)
Configuration diode 1 Pair Common Anode 1 Pair Common Anode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Tension - inverse (Vr) (max) 80 V 60 V 40 V 45 V
Courant - fuite, inverse à Vr 3 mA @ 20 V 3 mA @ 20 V 3 mA @ 20 V 3 mA @ 20 V
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 840 mV @ 60 A 750 mV @ 60 A 650 mV @ 120 A 650 mV @ 60 A

Fiche technique MBR12080CT PDF

Téléchargez MBR12080CT PDF DataSheets et Documentation GeneSiC Semiconductor pour MBR12080CT - GeneSiC Semiconductor.

Feuilles de données
MBR12045CT thru MBR120100CTR.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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