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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs de pontGBJ25M
GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

GBJ25M - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
GBJ25M
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-GBJ25M
Modèle ECAD
Description des pièces
1000V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDG
Description détaillée
Emballage
4-SIP, GBJ
Fiche technique
GBJ25J thru GBJ25M.pdf
En stock: 28950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques GBJ25M
GeneSiC Semiconductor - GBJ25M Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - GBJ25M

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - Inverse de crête (max) 1 kV  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.05 V @ 12.5 A  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur GBJ  
Séries -  
Package / Boîte 4-SIP, GBJ  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type de diode Single Phase  
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 1000 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 25 A  
Numéro de produit de base GBJ25  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor GBJ25M

Attributs du produit GBJ25M GBJ25L06 GBJ25J GBJ3510
Modèle de produit GBJ25M GBJ25L06 GBJ25J GBJ3510
Fabricant GeneSiC Semiconductor Diodes Incorporated SURGE Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 1000 V 10 µA @ 600 V 5 µA @ 600 V 5 µA @ 1000 V
Type de diode Single Phase Single Phase Single Phase Single Phase
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Rectifié moyenne (Io) 25 A 25 A 3.5 A 35 A
Package composant fournisseur GBJ GBJ GBJ(5S) GBJ
Numéro de produit de base GBJ25 - - -
Emballer Bulk - Bag Box
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.05 V @ 12.5 A 0.92 V @ 12.5 A 1 V @ 12.5 A 1.05 V @ 17.5 A
Séries - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension - Inverse de crête (max) 1 kV 600 V 600 V 1 kV
La technologie Standard Standard Standard Standard
Package / Boîte 4-SIP, GBJ 4-SIP, GBJ 4-SIP, KBJ 4-SIP, GBJ

Fiche technique GBJ25M PDF

Téléchargez GBJ25M PDF DataSheets et Documentation GeneSiC Semiconductor pour GBJ25M - GeneSiC Semiconductor.

Feuilles de données
GBJ25J thru GBJ25M.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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