Spécifications
Spécifications techniques GB2X50MPS12-227
GeneSiC Semiconductor - GB2X50MPS12-227 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - GB2X50MPS12-227
| Attributs du produit |
Valeur des attributs
| |
| Fabricant |
GeneSiC Semiconductor |
|
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si |
1.8 V @ 50 A |
|
| Tension - inverse (Vr) (max) |
1200 V |
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| La technologie |
SiC (Silicon Carbide) Schottky |
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| Package composant fournisseur |
SOT-227 |
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| La vitesse |
No Recovery Time > 500mA (Io) |
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| Séries |
SiC Schottky MPS™ |
|
| Temps de recouvrement inverse (trr) |
0 ns |
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| Attributs du produit |
Valeur des attributs
| |
| Package / Boîte |
SOT-227-4, miniBLOC |
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| Emballer |
Tube |
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| Température d'utilisation - Jonction |
-55°C ~ 175°C |
|
| Type de montage |
Chassis Mount |
|
| Configuration diode |
2 Independent |
|
| Courant - fuite, inverse à Vr |
40 µA @ 1200 V |
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| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) |
93A (DC) |
|
| Numéro de produit de base |
GB2X50 |
|
Mode de transport
Délai de livraison
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méthode de livraison
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| Pays communs Référence du temps logistique |
| Région |
Pays |
Heure logistique (jour) |
| Amérique |
États-Unis |
5 |
| Brésil |
7 |
| L'Europe |
Allemagne |
5 |
| Royaume-Uni |
4 |
| Italie |
5 |
| Océanie |
Australie |
6 |
| Nouvelle-Zélande |
5 |
| Asie |
Inde |
4 |
| Japon |
4 |
| Moyen-Orient |
Israël |
6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
| Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Note:
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FMM-22SSanken Electric USA Inc.DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220F
MBRD640CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 3A DPAK
GB2X100MPS12-227GeneSiC SemiconductorSIC DIODE 1200V 200A SOT-227
GB2000033Diodes IncorporatedCRYSTAL 20.0000MHZ 18PF
DSEP2X60-12AIXYSDIODE MODULE 1.2KV 60A SOT227B