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GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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DB105G - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
DB105G
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-DB105G
Modèle ECAD
Description des pièces
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
Emballage
4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Fiche technique
DB105G thru DB107G.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
Notre certification
En stock: 210920

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques DB105G
GeneSiC Semiconductor - DB105G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - DB105G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - Inverse de crête (max) 600 V  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1 V @ 1 A  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur DB  
Séries -  
Package / Boîte 4-EDIP (0.321", 8.15mm)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type de diode Single Phase  
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 600 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1 A  
Numéro de produit de base DB105  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS 8541.10.0080

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor DB105G

Attributs du produit DB105G DB105S DB104S DB106G
Modèle de produit DB105G DB105S DB104S DB106G
Fabricant GeneSiC Semiconductor Rectron USA SMC Diode Solutions GeneSiC Semiconductor
Type de diode Single Phase Single Phase Single Phase Single Phase
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 600 V 1 µA @ 600 V 5 µA @ 400 V 10 µA @ 800 V
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Package / Boîte 4-EDIP (0.321", 8.15mm) 4-SMD, Gull Wing 4-SMD, Gull Wing 4-EDIP (0.321', 8.15mm)
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
La technologie Standard Standard Standard Standard
Numéro de produit de base DB105 - DB104 DB106
Tension - Inverse de crête (max) 600 V 600 V 400 V 800 V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1 V @ 1 A 1 V @ 1 A 1.1 V @ 1 A 1.1 V @ 1 A
Séries - - - -
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1 A 1 A 1 A 1 A
Package composant fournisseur DB DB-S DB-S DB

Fiche technique DB105G PDF

Téléchargez DB105G PDF DataSheets et Documentation GeneSiC Semiconductor pour DB105G - GeneSiC Semiconductor.

Feuilles de données
DB105G thru DB107G.pdf

Mode de transport

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
Contactez nous si vous avez des questions.

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