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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - Single1N1200AR
GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

1N1200AR - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
1N1200AR
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-1N1200AR
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
Description détaillée
Emballage
DO-203AA, DO-4, Stud
Fiche technique
MBR3545 thru MBR35100R.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 10688

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 1N1200AR
GeneSiC Semiconductor - 1N1200AR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - 1N1200AR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1 V @ 12 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V  
La technologie Standard, Reverse Polarity  
Package composant fournisseur DO-4  
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Package / Boîte DO-203AA, DO-4, Stud  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 200°C  
Type de montage Chassis, Stud Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 50 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 12A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base 1N1200AR  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor 1N1200AR

Attributs du produit 1N1200AR 1N1200A 1N1200B 1N1200
Modèle de produit 1N1200AR 1N1200A 1N1200B 1N1200
Fabricant GeneSiC Semiconductor Solid State Inc. Solid State Inc. Solid State Inc.
Séries - - - -
Numéro de produit de base 1N1200AR - - -
Capacité à Vr, F - - - -
Type de montage Chassis, Stud Mount Stud Mount Stud Mount Stud Mount
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 50 V 10 µA @ 100 V 10 µA @ 100 V 10 µA @ 100 V
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 200°C -65°C ~ 200°C -65°C ~ 200°C -65°C ~ 200°C
La technologie Standard, Reverse Polarity Standard Standard Standard
Emballer Bulk Box Box Box
Package / Boîte DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AA, DO-4, Stud
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V 100 V 100 V 100 V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1 V @ 12 A 1.2 V @ 30 A 1.2 V @ 30 A 1.2 V @ 30 A
Courant - Rectifié moyenne (Io) 12A 12A 12A 12A
Package composant fournisseur DO-4 DO-4 DO-4 DO-4

Fiche technique 1N1200AR PDF

Téléchargez 1N1200AR PDF DataSheets et Documentation GeneSiC Semiconductor pour 1N1200AR - GeneSiC Semiconductor.

Feuilles de données
MBR3545 thru MBR35100R.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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