Spécifications techniques PZM6.8NB2A,115
NXP USA Inc. - PZM6.8NB2A,115 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP USA Inc. - PZM6.8NB2A,115
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | NXP Semiconductors | |
| Tension - Isolement | 15 Ohm | |
| Tension - Ventilation | SMT3; MPAK | |
| Séries | - | |
| État RoHS | Tape & Reel (TR) | |
| Puissance - Max | 220mW | |
| Polarisation | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Autres noms | 934055620115 PZM6.8NB2A T/R PZM6.8NB2A T/R-ND |
|
| Température de fonctionnement | - |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Type de montage | Surface Mount | |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Référence fabricant | PZM6.8NB2A,115 | |
| Impédance (Max) (Zzt) | 6.8V | |
| Description élargie | Zener Diode 220mW ±2% Surface Mount SMT3; MPAK | |
| ESR (résistance série équivalente) | ±2% | |
| Configuration diode | 2µA @ 3.5V | |
| La description | DIODE ZENER 6.8V 220MW SMT3 | |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 1.1V @ 100mA |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | |
| Statut de portée | |
| ECCN | |
| HTSUS |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP USA Inc. PZM6.8NB2A,115
| Attributs du produit |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | PZM6.8NB2A,115 | PZM8.2NB2,115 | PZM5.6NB2 | PZM9.1NB |
| Fabricant | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | Freescale / NXP Semiconductors | Freescale / NXP Semiconductors |
| Séries | - | - | - | - |
| La description | DIODE ZENER 6.8V 220MW SMT3 | DIODE ZENER 8.2V 300MW SMT3 | - | - |
| État RoHS | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| Autres noms | 934055620115 PZM6.8NB2A T/R PZM6.8NB2A T/R-ND |
934046200115 PZM8.2NB2 T/R PZM8.2NB2 T/R-ND |
- | - |
| Polarisation | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | - |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | - | - |
| Description élargie | Zener Diode 220mW ±2% Surface Mount SMT3; MPAK | Zener Diode 300mW ±2% Surface Mount SMT3; MPAK | - | - |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| Référence fabricant | PZM6.8NB2A,115 | PZM8.2NB2,115 | - | - |
| Tension - Ventilation | SMT3; MPAK | SMT3; MPAK | - | - |
| Impédance (Max) (Zzt) | 6.8V | 8.2V | - | - |
| ESR (résistance série équivalente) | ±2% | ±2% | - | - |
| Tension - Isolement | 15 Ohm | 10 Ohm | - | - |
| Température de fonctionnement | - | -65°C ~ 150°C | - | - |
| Puissance - Max | 220mW | 300mW | - | - |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 1.1V @ 100mA | 1.1V @ 100mA | - | - |
| Configuration diode | 2µA @ 3.5V | 700nA @ 5V | - | - |
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PZM8.2NB2,115NXP USA Inc.DIODE ZENER 8.2V 300MW SMT3PZM5.6NB2Freescale / NXP SemiconductorsPZM9.1NBFreescale / NXP Semiconductors
PZM7.5NB3LUMILEDSPZM5.6NB3LUMILEDSPZM8.2NB2115Freescale / NXP SemiconductorsPZM8.2NB2Freescale / NXP SemiconductorsPZM8.2NB3LUMILEDSPZM6.2NB2ANEXPPZM5.6NB2AFreescale / NXP SemiconductorsPZM5.6NBLUMILEDSPZM6.8NBLUMILEDSPZM8.2NB 8.2VLUMILEDSPZM7.5NB2(7.5V)Freescale / NXP SemiconductorsPZM5.6NB1Freescale / NXP SemiconductorsPZM5.6NB2.115Freescale / NXP SemiconductorsPZM6.2NBFreescale / NXP SemiconductorsPZM7.5NB2Freescale / NXP Semiconductors| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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