Spécifications techniques PMN35EN,115
NXP Semiconductors / Freescale - PMN35EN,115 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP Semiconductors / Freescale - PMN35EN,115
Attributs du produit | Valeur des attributs | |
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Fabricant | NXP Semiconductors | |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
Vgs (Max) | ±20V | |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Package composant fournisseur | 6-TSOP | |
Séries | - | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 5.1A, 10V | |
Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) | |
Emballage | Tape & Reel (TR) | |
Package / Boîte | SC-74, SOT-457 | |
Autres noms | 934065376115 PMN35EN115 |
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Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Attributs du produit | Valeur des attributs | |
---|---|---|
Type de montage | Surface Mount | |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 334pF @ 15V | |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V | |
type de FET | N-Channel | |
Fonction FET | - | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Description détaillée | N-Channel 30V 5.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP | |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5.1A (Ta) |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP Semiconductors / Freescale PMN35EN,115
Attributs du produit | ||||
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Modèle de produit | PMN35EN,115 | PMN30XPAX | PMN30UNEX | PMN40UPE,115 |
Fabricant | NXP Semiconductors / Freescale | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | NXP USA Inc. |
Type de montage | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Package / Boîte | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | 2.5V, 8V | 1.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V | 16 nC @ 4.5 V | 9 nC @ 4.5 V | 23 nC @ 4.5 V |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
Emballage | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
Description détaillée | N-Channel 30V 5.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP | - | - | - |
Séries | - | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | - | - |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
type de FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
Autres noms | 934065376115 PMN35EN115 |
- | - | - |
Vgs (Max) | ±20V | ±12V | ±8V | ±8V |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | 20 V | 20 V | 20 V |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5.1A (Ta) | 5.2A (Ta) | 4.8A (Ta) | 4.7A (Ta) |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
Package composant fournisseur | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 334pF @ 15V | 1039 pF @ 10 V | 558 pF @ 10 V | 1820 pF @ 10 V |
Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) | 660mW (Ta), 7.5W (Tc) | 530mW (Ta), 4.46W (Tc) | 500mW (Ta), 8.33W (Tc) |
Fonction FET | - | - | - | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 5.1A, 10V | 33mOhm @ 5.2A, 8V | 36mOhm @ 4.8A, 4.5V | 43mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | 1.3V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 950mV @ 250µA |
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Pays communs Référence du temps logistique | ||
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Région | Pays | Heure logistique (jour) |
Amérique | États-Unis | 5 |
Brésil | 7 | |
L'Europe | Allemagne | 5 |
Royaume-Uni | 4 | |
Italie | 5 | |
Océanie | Australie | 6 |
Nouvelle-Zélande | 5 | |
Asie | Inde | 4 |
Japon | 4 | |
Moyen-Orient | Israël | 6 |
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
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Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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