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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePMN35EN,115
PMN35EN,115 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PMN35EN,115 - NXP Semiconductors / Freescale

Fabricant Modèle de produit
PMN35EN,115
Fabricant
NXP Semiconductors
Allelco Modèle de produit
32D-PMN35EN,115
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
Description détaillée
Emballage
SC-74, SOT-457
Fiche technique
PMN35EN.pdf
État RoHS
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
En stock: 4490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PMN35EN,115
NXP Semiconductors / Freescale - PMN35EN,115 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP Semiconductors / Freescale - PMN35EN,115

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NXP Semiconductors  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-TSOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 5.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)  
Emballage Tape & Reel (TR)  
Package / Boîte SC-74, SOT-457  
Autres noms 934065376115
PMN35EN115
 
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)  
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 334pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 10V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Description détaillée N-Channel 30V 5.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.1A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP Semiconductors / Freescale PMN35EN,115

Attributs du produit PMN35EN,115 PMN30XPAX PMN30UNEX PMN40UPE,115
Modèle de produit PMN35EN,115 PMN30XPAX PMN30UNEX PMN40UPE,115
Fabricant NXP Semiconductors / Freescale Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc.
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 2.5V, 8V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 10V 16 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant - - -
Emballage Tape & Reel (TR) - - -
Description détaillée N-Channel 30V 5.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP - - -
Séries - Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Autres noms 934065376115
PMN35EN115
- - -
Vgs (Max) ±20V ±12V ±8V ±8V
Tension drain-source (Vdss) 30V 20 V 20 V 20 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.1A (Ta) 5.2A (Ta) 4.8A (Ta) 4.7A (Ta)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Package composant fournisseur 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 334pF @ 15V 1039 pF @ 10 V 558 pF @ 10 V 1820 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta) 660mW (Ta), 7.5W (Tc) 530mW (Ta), 4.46W (Tc) 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 5.1A, 10V 33mOhm @ 5.2A, 8V 36mOhm @ 4.8A, 4.5V 43mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1.3V @ 250µA 900mV @ 250µA 950mV @ 250µA

Fiche technique PMN35EN,115 PDF

Téléchargez PMN35EN,115 PDF DataSheets et Documentation NXP Semiconductors / Freescale pour PMN35EN,115 - NXP Semiconductors / Freescale.

Livret des spécifications
PMN35EN.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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PMN35EN,115

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32D-PMN35EN,115

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