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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePMN25EN,115
PMN25EN,115 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PMN25EN,115 - NXP USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PMN25EN,115
Fabricant
NXP Semiconductors
Allelco Modèle de produit
32D-PMN25EN,115
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP
Description détaillée
Emballage
SC-74, SOT-457
Fiche technique
PMN25EN.pdf
État RoHS
En stock: 4270

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PMN25EN,115
NXP USA Inc. - PMN25EN,115 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP USA Inc. - PMN25EN,115

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NXP Semiconductors  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-74  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 6.2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 540mW (Ta), 6.25W (Tc)  
Package / Boîte SC-74, SOT-457  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 492 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.2A (Ta)  
Numéro de produit de base PMN2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP USA Inc. PMN25EN,115

Attributs du produit PMN25EN,115 PMN25UN,115 PMN22XN,115 PMN230ENEAX
Modèle de produit PMN25EN,115 PMN25UN,115 PMN22XN,115 PMN230ENEAX
Fabricant NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Vgs (Max) ±20V ±8V ±12V ±20V
Package / Boîte SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur SC-74 SC-74 SC-74 6-TSOP
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 6.2A, 10V 27mOhm @ 6A, 4.5V 27mOhm @ 5.7A, 4.5V 222mOhm @ 1.8A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 30 V 60 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2.7V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries - - - Automotive, AEC-Q101
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V 3.8 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 540mW (Ta), 6.25W (Tc) 530mW (Ta), 6.25W (Tc) 545mW (Ta), 6.25W (Tc) 625mW (Ta), 5.4W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 492 pF @ 15 V 470 pF @ 10 V 585 pF @ 15 V 110 pF @ 30 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Numéro de produit de base PMN2 PMN2 PMN2 PMN230
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.2A (Ta) 6A (Ta) 5.7A (Ta) 1.8A (Ta)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique PMN25EN,115 PDF

Téléchargez PMN25EN,115 PDF DataSheets et Documentation NXP USA Inc. pour PMN25EN,115 - NXP USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Informations environnementales
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN Obsolescence / EOL
MCU Dip Supply Situation 12/May/2015.pdf Multiple Devices 01/Jul/2014.pdf
Feuilles de données
PMN25EN.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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