Spécifications techniques PHD34NQ10T,118
NXP Semiconductors / Freescale - PHD34NQ10T,118 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP Semiconductors / Freescale - PHD34NQ10T,118
Attributs du produit | Valeur des attributs | |
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Fabricant | NXP Semiconductors | |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
Vgs (Max) | ±20V | |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Package composant fournisseur | DPAK | |
Séries | TrenchMOS™ | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 17A, 10V | |
Dissipation de puissance (max) | 136W (Tc) | |
Emballage | Tape & Reel (TR) | |
Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Autres noms | 934055807118 PHD34NQ10T /T3 PHD34NQ10T /T3-ND |
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Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Attributs du produit | Valeur des attributs | |
---|---|---|
Type de montage | Surface Mount | |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1704pF @ 25V | |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V | |
type de FET | N-Channel | |
Fonction FET | - | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
Tension drain-source (Vdss) | 100V | |
Description détaillée | N-Channel 100V 35A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount DPAK | |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 35A (Tc) |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP Semiconductors / Freescale PHD34NQ10T,118
Attributs du produit | ![]() |
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Modèle de produit | PHD34NQ10T,118 | PHD36N03LT,118 | PHD2N60E | PHD38N02LT MOS |
Fabricant | NXP Semiconductors / Freescale | NXP USA Inc. | LUMILEDS | Freescale / NXP Semiconductors |
Séries | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | - | - |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 35A (Tc) | 43.4A (Tc) | - | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | 4.5V, 10V | - | - |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V | 18.5 nC @ 10 V | - | - |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
Package composant fournisseur | DPAK | DPAK | - | - |
Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | - |
type de FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
Tension drain-source (Vdss) | 100V | 30 V | - | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - |
Type de montage | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
Vgs (Max) | ±20V | ±20V | - | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1704pF @ 25V | 690 pF @ 25 V | - | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 17A, 10V | 17mOhm @ 25A, 10V | - | - |
Fonction FET | - | - | - | - |
Emballage | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
Dissipation de puissance (max) | 136W (Tc) | 57.6W (Tc) | - | - |
Autres noms | 934055807118 PHD34NQ10T /T3 PHD34NQ10T /T3-ND |
- | - | - |
Description détaillée | N-Channel 100V 35A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount DPAK | - | - | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | 2V @ 250µA | - | - |
Pays communs Référence du temps logistique | ||
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Région | Pays | Heure logistique (jour) |
Amérique | États-Unis | 5 |
Brésil | 7 | |
L'Europe | Allemagne | 5 |
Royaume-Uni | 4 | |
Italie | 5 | |
Océanie | Australie | 6 |
Nouvelle-Zélande | 5 | |
Asie | Inde | 4 |
Japon | 4 | |
Moyen-Orient | Israël | 6 |
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
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Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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