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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (bjt) - simple, pré-biaiséPDTC123YE,115
PDTC123YE,115 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PDTC123YE,115 - NXP Semiconductors / Freescale

Fabricant Modèle de produit
PDTC123YE,115
Fabricant
NXP Semiconductors
Allelco Modèle de produit
32D-PDTC123YE,115
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
Description détaillée
Emballage
SC-75, SOT-416
Fiche technique
PDTC123Y Series.pdf
État RoHS
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
En stock: 5230

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PDTC123YE,115
NXP Semiconductors / Freescale - PDTC123YE,115 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP Semiconductors / Freescale - PDTC123YE,115

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NXP Semiconductors  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA  
Transistor Type NPN - Pre-Biased  
Package composant fournisseur SC-75  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms  
Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms  
Puissance - Max 150mW  
Emballage Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte SC-75, SOT-416  
Autres noms 934058807115
PDTC123YE T/R
PDTC123YE T/R-ND
 
Type de montage Surface Mount  
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)  
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant  
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA  
Numéro de pièce de base PDTC123  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP Semiconductors / Freescale PDTC123YE,115

Attributs du produit PDTC123YE,115 PDTC123TT,215 PDTC123TT,215 PDTC123YT,215
Modèle de produit PDTC123YE,115 PDTC123TT,215 PDTC123TT,215 PDTC123YT,215
Fabricant NXP Semiconductors / Freescale NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 5V 30 @ 20mA, 5V 30 @ 20mA, 5V 35 @ 5mA, 5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA 100 mA 100 mA 100 mA
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant - - -
Séries - - - Automotive, AEC-Q100
Autres noms 934058807115
PDTC123YE T/R
PDTC123YE T/R-ND
- - -
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75 - - -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms - - 10 kOhms
Package composant fournisseur SC-75 SOT-23 TO-236AB TO-236AB
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V 50 V 50 V 50 V
Emballage Tape & Reel (TR) - - -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA 1µA 1µA 1µA
Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Transistor Type NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Numéro de pièce de base PDTC123 - - -
Puissance - Max 150mW 250 mW 250 mW 250 mW
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA 150mV @ 500µA, 10mA 150mV @ 500µA, 10mA 150mV @ 500µA, 10mA
Package / Boîte SC-75, SOT-416 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fiche technique PDTC123YE,115 PDF

Téléchargez PDTC123YE,115 PDF DataSheets et Documentation NXP Semiconductors / Freescale pour PDTC123YE,115 - NXP Semiconductors / Freescale.

Livret des spécifications
PDTC123Y Series.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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PDTC123YE,115

NXP Semiconductors / Freescale
32D-PDTC123YE,115

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