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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SinglePBHV8115T,215
NXP Semiconductors
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PBHV8115T,215 - NXP Semiconductors

Fabricant Modèle de produit
PBHV8115T,215
Fabricant
NXP Semiconductors
Allelco Modèle de produit
32D-PBHV8115T,215
Modèle ECAD
Description des pièces
NEXPERIA PBHV8115T - 150 V, 1 A
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
PBHV8115T,215 Datasheet.pdf
PBHV8115T,215 Datasheet.pdf
En stock: 492550

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PBHV8115T,215
NXP Semiconductors - PBHV8115T,215 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP Semiconductors - PBHV8115T,215

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NXP Semiconductors  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 150 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 200mA, 1A  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur TO-236AB  
Séries -  
Puissance - Max 300 mW  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 30MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 500mA, 10V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 1 A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP Semiconductors PBHV8115T,215

Attributs du produit PBHV8115T,215 PBHV3160ZX PBHV8115T,215 PBHV8115Z
Modèle de produit PBHV8115T,215 PBHV3160ZX PBHV8115T,215 PBHV8115Z
Fabricant NXP Semiconductors Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Freescale / NXP Semiconductors
Puissance - Max 300 mW 650 mW 300 mW -
Package composant fournisseur TO-236AB SOT-223 TO-236AB -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 200mA, 1A 250mV @ 6mA, 30mA 350mV @ 200mA, 1A -
Séries - Automotive, AEC-Q100 - -
Fréquence - Transition 30MHz 38MHz 30MHz -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA 100nA 100nA -
Transistor Type NPN PNP NPN -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 150 V 600 V 150 V -
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-261-4, TO-261AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 1 A 100 mA 1 A -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 500mA, 10V 70 @ 10mA, 10V 50 @ 500mA, 10V -

Fiche technique PBHV8115T,215 PDF

Téléchargez PBHV8115T,215 PDF DataSheets et Documentation NXP Semiconductors pour PBHV8115T,215 - NXP Semiconductors.

Feuilles de données
PBHV8115T,215 Datasheet.pdf
Fiche technique HTML
PBHV8115T,215 Datasheet.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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