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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBUK7210-55B,118
NXP USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BUK7210-55B,118 - NXP USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
BUK7210-55B,118
Fabricant
NXP Semiconductors
Allelco Modèle de produit
32D-BUK7210-55B,118
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANSISTOR >30MHZ
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
BUK7210-55B.pdf
En stock: 5050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BUK7210-55B,118
NXP USA Inc. - BUK7210-55B,118 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP USA Inc. - BUK7210-55B,118

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NXP Semiconductors  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 167W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 185°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2453 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP USA Inc. BUK7210-55B,118

Attributs du produit BUK7210-55B,118 BUK7210-55B,118 BUK7212-55B MOS BUK7219-55A
Modèle de produit BUK7210-55B,118 BUK7210-55B,118 BUK7212-55B MOS BUK7219-55A
Fabricant NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Freescale / NXP Semiconductors Freescale / NXP Semiconductors
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2453 pF @ 25 V 2453 pF @ 25 V - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 25A, 10V 10mOhm @ 25A, 10V - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Package composant fournisseur DPAK DPAK - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 4V @ 1mA - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - -
Fonction FET - - - -
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V - -
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
type de FET N-Channel N-Channel - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 185°C (TJ) -55°C ~ 185°C (TJ) - -
Dissipation de puissance (max) 167W (Tc) 167W (Tc) - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) - -
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ - -

Fiche technique BUK7210-55B,118 PDF

Téléchargez BUK7210-55B,118 PDF DataSheets et Documentation NXP USA Inc. pour BUK7210-55B,118 - NXP USA Inc..

Feuilles de données
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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