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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBUK663R7-75C,118
NXP USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BUK663R7-75C,118 - NXP USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
BUK663R7-75C,118
Fabricant
NXP Semiconductors
Allelco Modèle de produit
32D-BUK663R7-75C,118
Modèle ECAD
Description des pièces
PFET, 120A I(D), 75V, 0.0058OHM,
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
BUK663R7-75C,118.pdf
État RoHS
En stock: 4780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BUK663R7-75C,118
NXP USA Inc. - BUK663R7-75C,118 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP USA Inc. - BUK663R7-75C,118

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NXP Semiconductors  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 306W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15450 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 234 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP USA Inc. BUK663R7-75C,118

Attributs du produit BUK663R7-75C,118 BUK663R7-75C,118 BUK6C3R3-75C,118 BUK6C3R3-75C118
Modèle de produit BUK663R7-75C,118 BUK663R7-75C,118 BUK6C3R3-75C,118 BUK6C3R3-75C118
Fabricant NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA 2.8V @ 1mA 2.8V @ 1mA -
Dissipation de puissance (max) 306W (Tc) 306W (Tc) 300W (Tc) -
Fonction FET - - - -
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ *
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 25A, 10V 4mOhm @ 25A, 10V 3.4mOhm @ 90A, 10V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 234 nC @ 10 V 234 nC @ 10 V 253 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15450 pF @ 25 V 15450 pF @ 25 V 15800 pF @ 25 V -
Tension drain-source (Vdss) 75 V 75 V 75 V -
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK D2PAK-7 -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 181A (Tc) -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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