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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSSP2N60B
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SSP2N60B - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
SSP2N60B
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-SSP2N60B
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
SSP2N60B.pdf
État RoHS
En stock: 205550

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SSP2N60B
Fairchild Semiconductor - SSP2N60B Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - SSP2N60B

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 54W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor SSP2N60B

Attributs du produit SSP2N60B SSP3N80A SSP26905AG120 SSP32002FE60
Modèle de produit SSP2N60B SSP3N80A SSP26905AG120 SSP32002FE60
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Freescale / NXP Semiconductors MOTOROLA
Emballer Bulk Bulk - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 1A, 10V 4.8Ohm @ 850mA, 10V - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA - -
type de FET N-Channel N-Channel - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V 750 pF @ 25 V - -
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - -
Type de montage Through Hole Through Hole - -
Séries - - - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 - -
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 600 V 800 V - -
Vgs (Max) ±30V ±30V - -
Dissipation de puissance (max) 54W (Tc) 100W (Tc) - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc) 3A (Tc) - -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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