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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSSD2025TF
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SSD2025TF - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
SSD2025TF
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-SSD2025TF
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SSD2025TF.pdf
En stock: 3760

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SSD2025TF
Fairchild Semiconductor - SSD2025TF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - SSD2025TF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.3A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.3A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SSD2025  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor SSD2025TF

Attributs du produit SSD2025TF SSD2009ATF SSD2025TF SSD2009A
Modèle de produit SSD2025TF SSD2009ATF SSD2025TF SSD2009A
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi VBSEMI
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 25nC @ 10V 30nC @ 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.3A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 100mOhm @ 3.3A, 10V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.3A 3A 3.3A -
Puissance - Max 2W 2W 2W -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC -
Tension drain-source (Vdss) 60V 50V 60V -
Numéro de produit de base SSD2025 SSD2009 SSD2025 -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Séries - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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