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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI4963DY
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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SI4963DY - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
SI4963DY
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-SI4963DY
Modèle ECAD
Description des pièces
P-CHANNEL POWER MOSFET
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI4963DY.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 41350

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques SI4963DY
Fairchild Semiconductor - SI4963DY Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - SI4963DY

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 6.2A, 4.5V  
Puissance - Max 900mW (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1456pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.2A (Ta)  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI4963  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée Vendor Undefined
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor SI4963DY

Attributs du produit SI4963DY SI4963BDY-T1-GE3 SI4963BDY-T1-E3 SI4965DY-T1-E3
Modèle de produit SI4963DY SI4963BDY-T1-GE3 SI4963BDY-T1-E3 SI4965DY-T1-E3
Fabricant Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.2A (Ta) 4.9A 4.9A -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.4V @ 250µA 450mV @ 250µA (Min)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1456pF @ 10V - - -
Séries PowerTrench® - - TrenchFET®
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Puissance - Max 900mW (Ta) 1.1W 1.1W 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 6.2A, 4.5V 32mOhm @ 6.5A, 4.5V 32mOhm @ 6.5A, 4.5V 21mOhm @ 8A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 8V
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Numéro de produit de base SI4963 SI4963 SI4963 SI4965
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V 21nC @ 4.5V 21nC @ 4.5V 55nC @ 4.5V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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