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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI3441DV
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI3441DV - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
SI3441DV
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-SI3441DV
Modèle ECAD
Description des pièces
P-CHANNEL MOSFET
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
SI3441DV.pdf
État RoHS
En stock: 5490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI3441DV
Fairchild Semiconductor - SI3441DV Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - SI3441DV

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SuperSOT™-6  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 800mW (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 779 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor SI3441DV

Attributs du produit SI3441DV SI3441BDV-T1-GE3 SI3441BDV-T1-E3 SI3442BDV-T1-E3
Modèle de produit SI3441DV SI3441BDV-T1-GE3 SI3441BDV-T1-E3 SI3442BDV-T1-E3
Fabricant Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 779 pF @ 10 V - - 295 pF @ 10 V
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 8 nC @ 4.5 V 8 nC @ 4.5 V 5 nC @ 4.5 V
Package composant fournisseur SuperSOT™-6 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Séries PowerTrench® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta) 2.45A (Ta) 2.45A (Ta) 3A (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 850mV @ 250µA 850mV @ 250µA 1.8V @ 250µA
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.5A, 4.5V 90mOhm @ 3.3A, 4.5V 90mOhm @ 3.3A, 4.5V 57mOhm @ 4A, 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±12V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dissipation de puissance (max) 800mW (Ta) 860mW (Ta) 860mW (Ta) 860mW (Ta)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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