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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSFR9224TM
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SFR9224TM - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
SFR9224TM
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-SFR9224TM
Modèle ECAD
Description des pièces
P-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
SFR9224TM.pdf
État RoHS
En stock: 103590

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SFR9224TM
Fairchild Semiconductor - SFR9224TM Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - SFR9224TM

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252-3 (DPAK)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 1.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor SFR9224TM

Attributs du produit SFR9224TM SFR9214TF SFR9230BTM SFR9220TM
Modèle de produit SFR9224TM SFR9214TF SFR9230BTM SFR9220TM
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Tc) 1.53A (Tc) 5.4A (Tc) 3.1A (Tc)
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Tension drain-source (Vdss) 250 V 250 V 200 V 200 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Package composant fournisseur TO-252-3 (DPAK) TO-252-3 (DPAK) TO-252-3 (DPAK) TO-252-3 (DPAK)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 25 V 295 pF @ 25 V 1000 pF @ 25 V 540 pF @ 25 V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 19W (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 1.3A, 10V 4Ohm @ 770mA, 10V 800mOhm @ 2.7A, 10V 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Fonction FET - - - -

Mode de transport

Délai de livraison

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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