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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSFR9024TF
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SFR9024TF - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
SFR9024TF
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-SFR9024TF
Modèle ECAD
Description des pièces
P-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
SFR9024TF.pdf
État RoHS
En stock: 94950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SFR9024TF
Fairchild Semiconductor - SFR9024TF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - SFR9024TF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252-3 (DPAK)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 3.9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 32W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.8A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor SFR9024TF

Attributs du produit SFR9024TF SFR9014TF SFR9034TF SFR9014TF
Modèle de produit SFR9024TF SFR9014TF SFR9034TF SFR9014TF
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 32W (Tc) 2.5W (Ta), 24W (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) 2.5W (Ta), 24W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.8A (Tc) 5.3A (Tc) 14A (Tc) 5.3A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 1155 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Package composant fournisseur TO-252-3 (DPAK) TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Séries - - - -
Emballer Bulk Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 3.9A, 10V 500mOhm @ 2.7A, 10V 140mOhm @ 7A, 10V 500mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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