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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDS8426A
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDS8426A - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
NDS8426A
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-NDS8426A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 10.5A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
NDS8426A.pdf
État RoHS
En stock: 111160

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDS8426A
Fairchild Semiconductor - NDS8426A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - NDS8426A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.7V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.5A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor NDS8426A

Attributs du produit NDS8426A NDS8434A NDS8425 NDS8425
Modèle de produit NDS8426A NDS8434A NDS8425 NDS8425
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 10 V 1730 pF @ 10 V 1098 pF @ 15 V 1098 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.7V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V 24mOhm @ 7.9A, 4.5V 22mOhm @ 7.4A, 4.5V 22mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Séries - - PowerTrench® PowerTrench®
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.5A (Ta) 7.8A (Ta) 7.4A (Ta) 7.4A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V 55 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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