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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDP4060
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDP4060 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
NDP4060
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-NDP4060
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 15A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
NDP4060.pdf
État RoHS
En stock: 63820

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDP4060
Fairchild Semiconductor - NDP4060 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - NDP4060

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor NDP4060

Attributs du produit NDP4060 NDP4060L NDP4060 NDP5060L
Modèle de produit NDP4060 NDP4060L NDP4060 NDP5060L
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild (onsemi)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 5V, 10V 10V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole -
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 7.5A, 10V 80mOhm @ 15A, 10V 100mOhm @ 7.5A, 10V -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 -
Séries - - - -
Emballer Tube Tube Tube -
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V -
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 17 nC @ 5 V 17 nC @ 10 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc) 15A (Tc) 15A (Tc) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 -
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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